电荷累加型TDICMOS探测器测试方法研究
电荷累加型TDICMOS探测器测试方法研究
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Author / Creator
梁楠 , 张斐然 , 蔡帅 , 李博 , 李涛 / Liang Nan , Zhang Feiran , Cai Shuai , Li, Bo and Li, Tao
Publisher
Chengdu: Editorial Office of Opto-Electronic Advances
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Chengdu: Editorial Office of Opto-Electronic Advances
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TN401; 随着航天遥感领域对分辨率、高速传输、低功耗方面需求的提高,基于电荷累加的TDICMOS探测器应运而生.该探测器无论在工艺上还是探测器结构上均与TDICCD和传统数字累加的CMOS器件有着本质的不同.因此,许多关于探测器性能参数的测试方法无法适用于电荷累加的TDICMOS.本文基于电荷累加TDICMOS的自身特性,先后提出了关于电荷-DN转换因子、满阱电荷、电荷转移效率、读出噪声等参数的新测试方法,同时搭建TDICMOS测试系统进行实验验证.实验证明了上述测试方法的正确性和工程可实现性,为今后TDICMOS工程应用提供了重要依据.
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电荷累加型TDICMOS探测器测试方法研究
Authors, Artists and Contributors
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Record Identifier
TN_cdi_wanfang_journals_gdgc201908004
Permalink
https://devfeature-collection.sl.nsw.gov.au/record/TN_cdi_wanfang_journals_gdgc201908004
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ISSN
1003-501X
DOI
10.12086/oee.2019.180504
