TFT光刻平面倾斜对光刻图形的影响及改善
TFT光刻平面倾斜对光刻图形的影响及改善
Publication information
Publisher
合肥京东方光电科技有限公司,安徽 合肥,230012
More information
Scope and Contents
Contents
TN305.7; 薄膜晶体管光刻制程中,光刻胶光刻平面位置是决定光刻图形质量的关键因素.为了在光刻机最小分辨率条件下改善光刻图形质量,本文从光刻胶内反射光线的反射特点出发,以减小光刻胶内反射光线对非光刻区域的光刻光强及增加光刻区域的光刻胶底部光刻光强为基础,推导出光刻光线倾斜入射光刻胶平面时,光刻胶光刻平面位置调整量的计算公式,并以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面进行调整.结果表明:对于最小分辨率为3.0μm的投影光刻机,进行线间距为2.2μm的产品光刻时,以该公式计算出的调整量对光刻胶光刻平面调整后,较未调整前,光刻图形坡度角提升了13.3％,光刻胶线宽或线间距宽度(DICD)均一性改善了14.7％,光刻图形光刻胶残留得到解决.
Alternative Titles
Full title
TFT光刻平面倾斜对光刻图形的影响及改善
Identifiers
Primary Identifiers
Record Identifier
TN_cdi_wanfang_journals_gdgc201910008
Permalink
https://devfeature-collection.sl.nsw.gov.au/record/TN_cdi_wanfang_journals_gdgc201910008
Other Identifiers
ISSN
1003-501X
DOI
10.12086/oee.2019.180679
How to access this item
Log in as a Library member
