等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化
等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化
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中微半导体设备(上海)有限公司,上海 201201%中微半导体设备(上海)有限公司,上海,201201%北京大学软件与微电子学院,北京,102600
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由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求.本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制.研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌.
Alternative Titles
Full title
等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化
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Primary Identifiers
Record Identifier
TN_cdi_wanfang_journals_bjdxxb201906003
Permalink
https://devfeature-collection.sl.nsw.gov.au/record/TN_cdi_wanfang_journals_bjdxxb201906003
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ISSN
0479-8023
DOI
10.13209/j.0479-8023.2019.066
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